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采用电子背散射衍射(EBSD)技术,以30~40nm的空间分辨率,显示GaAs-AlGaAs外延结构中的应力分布.将菊池花样质量IQ和Hough峰,以及晶格错配和局部转动等测量参数作为应力敏感参数,分析GaAs-AlGaAs周期外延层中的应变状态.通过对菊池花样进行快速傅立叶变换和强度计算识别微区应变区域.

参考文献

[1] 彭英才,傅广生.半导体超晶格研究与相关学科领域发展的关系[J].固体电子学研究与进展,2000(03):276-280.
[2] 王俊忠,吉元,王晓冬,刘志民,罗俊锋,李志国.Al互连线和Cu互连线的显微结构[J].物理学报,2007(01):371-375.
[3] 罗俊锋,王俊忠,牛南辉,赵林林,张隐奇,郭霞,沈光地,吉元.半导体结构中局域弹性应变场的电子背散射衍射分析[J].电子显微学报,2006(02):104-107.
[4] Wright S I;Adams B L .[J].Metallurgical and Materials Transactions,1992,23:759-767.
[5] Dingley D J;Randle V .[J].Materials Science,1992,27:4545-4566.
[6] Gholinia A;Humphreys F J;Prangnell P B .[J].Acta Materialia,2002,50:4461-4476.
[7] Stanford N;Dunne D .[J].Acta Materialia,2003,51:665-676.
[8] Wilkinson A J;Hirsh P B .[J].MICRON,1997,28(04):279-308.
[9] Keller R R;Roshko A;Geiss R H et al.[J].Microelectronic Engineering,2004,75:96-102.
[10] Tao X D .[J].Dissertation Abstracts International,2003,64(12):6284.
[11] Wilkinson A J .[J].Ultramicroscopy,1996,62:237-247.
[12] Troost K Z;Sluis P;van der Gravesteijn D J .[J].Applied Physics Letters,1993,62(10):1110-1112.
[13] Luo J F;Ji Y;Zhong T X et al.[J].Microelectronics Reliability,2006,46:178-182.
[14] 徐岳生,杨新荣,王海云,唐蕾,刘彩池,魏欣,覃道志.半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究[J].物理学报,2005(04):1904-1908.
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