本文分析了高能Ti 离子注入LiNbO_3后x,y,z 三种不同切向的表面损伤分布及退火效应。x,y 切片表面损伤程度近乎无定形,Nb 原子迁移率N_D/N=1;z 切片表面损伤仍未饱和,N_D/N=0.8。辐射损伤主要是大量Nb 偏离晶格位置成为间隙原子,注入的Ti 离子处于间隙位置—LiNbO_3结构中固有的空位,使晶格有微小的膨胀。注入后产生有大量的氧缺位,氧气氛中热退火可消除氧缺位,使位移原子恢复至原晶格位置,且大部分间隙位置上的Ti 离子通过替代Nb 或少数Li 进入正规格点上,此处晶格有少许收缩;热处理后损伤的消除由注入层与衬底的界面处向外表面方向进行,需1000℃高温退火,晶格损伤才能获得明显的改善,氧气氛可防止氧缺位的增多。
Damage and annealing effect of x,y and z cut LiNbO_3 implanted by 350keVhigh energy Ti(1.5×10~(17)/cm~2)were studied.The damage caused by ion implantation is re-moved by high temperatures annealing in dry oxygen atomsphere at different temperatures andtim
参考文献
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| [6] | Jackel J L et al.Appl Phys Lett,1981 |
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