六角片状氢氧化镁(001)晶面优先生长条件的研究

人工晶体学报, 2014, 43(7): 1611-1619.

六角片状氢氧化镁(001)晶面优先生长条件的研究

赵卓雅 ^1, , 李祥高 ^2, , 王世荣 ^3, , 肖殷 ^4,

1.天津大学化工学院,天津300072

2.天津大学化工学院,天津300072

3.天津大学化工学院,天津300072

4.天津大学化工学院,天津300072

关键词：氢氧化镁 , 水热法 , (001)晶面

Study on the Priority Growth of (001) Plane of Hexagonal Magnesium Hydroxide

Keywords： magnesium hydroxide , hydrothermal method , (001) plane

以常温工业合成氢氧化镁为原料,采用水热法制备六角片状氢氧化镁阻燃剂.研究了水热条件对氢氧化镁(001)晶面生长的影响并从生长基元的角度对其进行了解释.采用SEM、XRD、激光粒度仪和接触角测试仪对水热处理后的氢氧化镁进行表征.结果表明,原料初始粒度越小越有利于(001)晶面生长,当水热介质中碱浓度为6～8mol/L、水热温度为140～180℃时,氢氧化镁(001)晶面的生长速度最快,当氢氧化镁的含量大于15wt％时会明显抑制(001)晶面的生长.

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Study on the Priority Growth of (001) Plane of Hexagonal Magnesium Hydroxide

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