微波ECR等离子体源增强非平衡磁控溅射DLC膜的制备与表征

功能材料, 2004, 35(3): 304-307.

微波ECR等离子体源增强非平衡磁控溅射DLC膜的制备与表征

李新 ^1, , 唐祯安 ^2, , 邓新绿 ^3, , 徐军 ^4, , 张虹霞 ^5, , 杨梅 ^6,

1.大连理工大学,电子工程系微系统研究中心,辽宁,大连,116024

2.大连理工大学,电子工程系微系统研究中心,辽宁,大连,116024

3.大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024

4.大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024

5.大连理工大学,电子工程系微系统研究中心,辽宁,大连,116024

6.大连理工大学,电子工程系微系统研究中心,辽宁,大连,116024

基金项目: 国家自然科学基金(50135040)

关键词：非平衡磁控溅射 , 电子回旋共振 , 等离子体源 , 类金刚石膜

Preparation and characterization of DLC films by microwave ECR plasma source enhanced unbalance magnetron sputtering

介绍了微波ECR等离子体源增强非平衡磁控溅射设备的结构和工作原理,详细叙述了利用该设备制备类金刚石膜的过程.Raman光谱证实了薄膜的类金刚石特性;采用原子力显微镜(AFM)观察薄膜的微观表面形貌,均方根粗糙度大约为1.9nm,结果表明薄膜表面非常光滑;利用CERT微摩擦计进行摩擦、磨损和划痕实验,薄膜的平均摩擦系数较小,大约为0.175;DL(膜和Si衬底磨损情况的扫描电镜图片相对比,可以看到DLC膜的磨痕小的多,说明薄膜有较好的耐磨性能;划痕测试结果表明制备薄膜临界载荷大约为40mN.

参考文献

[1]	Robertson J .[J].Materials Science and Engineering,2002,37:1-2.
[2]	徐军 .微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术及CN薄膜的制备研究[D].大连理工大学,2002.
[3]	Ferrari A C .[J].Diamond and Related Materials,2002,11:1053-1061.
[4]	Bhushan B;Gupta B K;Azarian M H .[J].Wear,1995,181:743-744.

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Preparation and characterization of DLC films by microwave ECR plasma source enhanced unbalance magnetron sputtering

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