目前微电子器件正经历着一场材料结构的变革.由于其特征尺寸进入100nm,由内部金属连线的电阻和线间绝缘介质层的电容构成的阻容延时已经成为限制器件性能的主要因素.用电阻更小的铜取代目前使用的铝作金属连线,用低介电常数(低K)材料取代二氧化硅作线间介质成为重要的、应用价值巨大的研究课题.着重叙述了具有低介电常数的氟化非晶碳薄膜的研究进展.
参考文献
| [1] | 丁世进;张卫;王鹏飞 等.[J].功能材料,2000,31(05) |
| [2] | Lee W W;Ho P S .[J].Materials Research Bulletin,1997,10:19. |
| [3] | Ariel N;Eizenberg M;Wangm Y.[J].Materials Science in Semiconductor Processing,2001:383. |
| [4] | Theil J A .[J].Journal of Vacuum Science and Technology,1999,17:2397. |
| [5] | Oh K S;Kang M S;Lee K et al.[J].Thin Solid Films,1999,345:45. |
| [6] | Jia min Shieh;Shichchang Suen;Kooouchiang Tsai et al.[J].Journal of Vacuum Science and Technology,2001,19:3. |
| [7] | Yi J W;Lee Y H;Frarouk B .[J].Thin Solid Films,2000,374:103. |
| [8] | Endo K .[J].MRS Bulletin,1997,22:55. |
| [9] | Endo K;Shinoda K;Tatsumi T J .[J].Journal of Applied Physics,1999,86:55. |
| [10] | Endo K et al.[J].Journal of Applied Physics,1995,78(02):1370. |
| [11] | Endo K et al.[J].Applied Physics Letters,1996,68:2684. |
| [12] | Ma Y;Yang H;Guo J et al.[J].Applied Physics Letters,1998,72:3353. |
| [13] | Ning Zhaoyuan;Yang Shendong;Cheng Shanhua .[J].Current Applied Physics,2002,2:439. |
| [14] | 叶超,宁兆元,程珊华.电子回旋共振等离子体增强沉积氟化非晶碳薄膜的光学性种[J].物理学报,2001(10):2017-2022. |
| [15] | Xin Y.;Gan ZQ.;Fang L.;Ning ZY.;Zheng FG.;Cheng SH. .Structural evolution of a-C : F : H film prepared by microwave ECR CVD[J].Surface & Coatings Technology,2002(1):89-94. |
| [16] | 辛煜,宁兆元,程珊华,陆新华,江美福,许圣华,叶超,黄松,杜伟.源气体对沉积的a-C∶F∶H薄膜结构的影响[J].物理学报,2002(08):1865-1869. |
| [17] | 黄峰,程珊华,宁兆元,杨慎东,叶超.真空退火对氟化非晶碳薄膜结构的影响[J].物理学报,2002(06):1383-1387. |
| [18] | 杨慎东,宁兆元,黄峰,程珊华,叶超.a-C：F薄膜的热稳定性与光学带隙的关联[J].物理学报,2002(06):1321-1325. |
| [19] | Ye Chao;Ning Zhaoyuan;Xin Yu et al.Diamond and Relative Materials[J].,2004,13:191. |
| [20] | Ning Zhaoyuan;Cheng Shanhua;Chen Lingling .[J].Materials Science in Semiconductor Processing,2005,8:2. |
| [21] | 王婷婷,叶超,宁兆元,程珊华.SiCOH低介电常数薄膜的性质和键结构分析[J].物理学报,2005(02):892-896. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%