MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究

功能材料, 2004, 35(z1): 432-433.

1.北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

2.北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

3.北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

4.北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

5.北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

6.北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000028201-1)

Study on optical and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon synthesized by MW-ECR CVD

通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σ d)的关系;发现随着Ea的增大,费米能级位置下移,缺陷态密度减少,薄膜的光敏性变好.

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