正反欧姆区间伏安特性对TiN薄膜微观结构及性能的影响

稀有金属, 2016, 45(9): 2439-2443.

正反欧姆区间伏安特性对TiN薄膜微观结构及性能的影响

郝娟 ^1, , 蒋百灵 ^2, , 杨超 ^3, , 冯林 ^4, , 张彤晖 ^5,

1.西安理工大学,陕西西安,710048

2.西安理工大学,陕西西安,710048

3.西安理工大学,陕西西安,710048

4.西安理工大学,陕西西安,710048

5.西安理工大学,陕西西安,710048

基金项目: 国家自然科学基金(51271144)

关键词：反欧姆区 , 靶电流密度 , TiN薄膜 , 离化率

Influence of Volt-Ampere Characteristics in Positive-Ohm and Anti-Ohm Sections on Microstructure and Properties of TiN Films

Keywords： anti-ohm section , target current density , TiN films , ionization rate

采用脉冲控制模式将气体放电伏安特性由磁控溅射离子镀的“正欧姆”区间引入到“反欧姆”区间,并在不同靶电流密度下制备了TiN薄膜.研究了正反欧姆区间伏安特性对薄膜微观结构及性能的影响.结果表明:在靶电流密度(Itd)大于0.2 A·cm-2的反欧姆区间,薄膜具有良好的表面质量和致密程度;且薄膜的硬度和膜/基结合强度分别由正欧姆区间Itd为0.11A·cm-2的9.9 GPa、4.5N提升到反欧姆区间Itd为0.38 A·cm-2的25.8 GPa、18N.

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正反欧姆区间伏安特性对TiN薄膜微观结构及性能的影响

Influence of Volt-Ampere Characteristics in Positive-Ohm and Anti-Ohm Sections on Microstructure and Properties of TiN Films

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