在直拉法硅单晶生长过程中,由于位错的产生经常会导致硅棒发生断棱与掉苞现象,严重影响了晶体硅和器件的性能,降低了硅太阳能电池的光电转换效率.为了分析该现象,借助于位错形成的理论,探讨了Φ203mm(100)硅棒发生断棱与掉苞的具体原因及应对措施.影响直拉法单晶硅棒发生断棱与掉苞的因素包括:熔体中过多的杂质,热场、机械传动装置及炉体的不稳定等.
参考文献
| [1] | 钟丽菲.单晶硅缺陷的分析[J].湖南科技学院学报,2011(04):31-33. |
| [2] | 曾徵丹,马向阳,陈加和,杨德仁.氧沉淀对直拉硅单晶硬度的影响[J].稀有金属,2009(05):758-761. |
| [3] | 张晓燕,陈湘香,刘克家.位错的统计力学以及位错引起晶体的熔化理论[J].上海应用技术学院学报（自然科学版）,2010(02):92-96. |
| [4] | 张国栋,翟慎秋,崔红卫,刘俊成.半导体单晶生长过程中的位错研究[J].人工晶体学报,2007(02):301-307. |
| [5] | 曾庆凯,关小军,潘忠奔,张怀金,王丽君,禹宝军,刘千千.φ400mm直拉硅单晶生长过程中氧浓度对微缺陷影响的数值模拟[J].人工晶体学报,2011(05):1150-1156. |
| [6] | Capan I;Borjanovic V;Pivac B .Dislocation-related deep levels in carbon rich p-type polycrystalline silicon[J].Solar Energy Materials and Solar Cells: An International Journal Devoted to Photovoltaic, Photothermal, and Photochemical Solar Energy Conversion,2007(10):931-937. |
| [7] | E. K. Sanchez;J. Q. Liu;M. De Graef;M. Skowronski;W. M. Vetter;M. Dudley .Nucleation of threading dislocations in sublimation grown silicon carbide[J].Journal of Applied Physics,2002(3):1143-1148. |
| [8] | Q. Chen;X.-Y. Liu;S.B. Biner .Solute and dislocation junction interactions[J].Acta materialia,2008(13):2937-2947. |
| [9] | 裴志军;纪秀峰;刘峰 .4英寸(111)硅单晶制备中的"断棱"与"掉苞"问题[J].半导体杂志,1998,23(03):20. |
| [10] | Dash W C .Improvements on the pedestal method of growing silicon and germanium crystal[J].Journal of Applied Physics,1960,31:736. |
| [11] | Taishi T;Huang X M et al.Behavior of the edge dislocation propagating along the growth direction in Czochralski Si crystal growth[J].Journal of Crystal Growth,2005,275:2147. |
| [12] | Duseaux M;Jacob G .Formation of dislocations during liquid encapsulated Czochralski growth of GaAs single crystal[J].Applied Physics Letters,1982,40(09):790. |
| [13] | 黄有志;王丽.直拉单晶硅工艺技术[M].北京:化学工业出版社,2009:51. |
| [14] | 李巨晓,庄力.机械振动对直拉法Si单晶生长的影响[J].半导体技术,2008(04):304-307. |
| [15] | 李巨晓,孙新利,王飞尧,何国君.直拉法硅单晶生长时晃动的分析及控制[J].半导体技术,2010(11):1083-1086. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%