HfO2基阻变存储器的电极效应

稀有金属材料与工程, 2015, 44(11): 2642-2645.

HfO2基阻变存储器的电极效应

谭婷婷 ^1, , 郭婷婷 ^2, , 李小晶 ^3, , 陈曦 ^4, , 冯丽萍 ^5, , 刘正堂 ^6,

1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安,710072

2.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安,710072

3.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安,710072

4.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安,710072

5.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安,710072

6.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安,710072

基金项目: National Natural Science Foundation of China (51202196) Research Fund of the State Key Laboratory of Solidification Processing (NWPU) (58-TZ-2011) Northwestern Polytechnical University (NPU) Foundation for Fundamental Research (JC201111) "111" Project (B08040)

关键词： HfO2薄膜 , 电阻转变机制 , 金属细丝 , 氧空位

Effects of Electrodes on the Filament Formation in HfO2-Based Resistive Random Access Memory

Keywords： HfO2 thin film , resistive switching mechanism , metal filament , oxygen vacancy

研究了Cu/HfO2/ITO和TiN/HfO2/ITO 2种结构阻变存储器件的电阻转变特性.2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为.Cu/HfO2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝的形成,而对于TiN/HfO2/ITO器件,在TiN项电极和HfO2薄膜中会形成界面层,因此氧空位导电细丝的形成与断裂,是其主要的电阻转变机制.

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