材料期刊网

兵器材料科学与工程 , 2015, 38(6): 45-47.

离子注入对高质量4H-SiC外延片ESR谱的影响

程萍 ^1, , 郝建民 ^2,

基金项目:   浙江省青年基金(LQ14F040004)  

关键词： 4H-SiC , 离子注入 , 本征缺陷

ESR results of high-quality 4H-SiC epitaxial layer influenced by ions implantation

Keywords： 4H-SiC , ions implantation , intrinsic defects