大尺寸ZnGeP2晶体生长与中红外光参量振荡

人工晶体学报, 2011, 40(2): 541-541.

大尺寸ZnGeP2晶体生长与中红外光参量振荡

夏士兴 ^1, , 雷作涛 ^2, , 王猛 ^3, , 杨春晖 ^4, , 李纲 ^5, , 姚宝权 ^6,

1.哈尔滨工业大学化工学院,哈尔滨,150001

2.哈尔滨工业大学化工学院,哈尔滨,150001

3.哈尔滨工业大学化工学院,哈尔滨,150001

4.哈尔滨工业大学化工学院,哈尔滨,150001

5.哈尔滨工业大学可调谐(气体)激光技术国防科技重点实验室,哈尔滨,150001

6.哈尔滨工业大学可调谐(气体)激光技术国防科技重点实验室,哈尔滨,150001

基金项目: 黑龙江省科技攻关资助项目(GC305A205) 国家自然科学基金(91022024)

关键词： ZnGeP2晶体 , 吸收系数 , 光参量振荡

Growth and Mid-infrared Optical Parametric Oscillator of Large ZnGeP2 Single Crystals

采用垂直布里奇曼方法生长了ZnGeP2单晶体,晶体毛坯尺寸达φ30 mm×120mm.晶体在2.05μm吸收系数0.05cm-1,3～8 μm吸收系数0.01cm-1,光损伤阈值2.0±0.3 J/ cm2.利用2.05μm Tm,Ho:CdVO4激光器为泵浦源,脉冲重复频率10 kHz.当泵浦功率16.3 W时,3～5μm光参最振荡输出8.7 W,光-光转换效率为53%,斜率效率为64%.

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