双色制导用InGaAs探测器低温特性的研究

低温物理学报 , 2010, 32(4): 295-298.

双色制导用InGaAs探测器低温特性的研究

孟庆端 ^1, , 吕衍秋 ^2, , 鲁正雄 ^3, , 孙维国 ^4,

1.河南科技大学电子信息工程学院,河南,洛阳,71003;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009

2.中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009

3.中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009

4.中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009

关键词：双色探测器 , InGaAs , 探测率

LOW TEMPERATURE CHARACTERISTIC OF InGaAs DETECTOR EMPLOYED IN DUAL-BAND IR GUIDING SYSTEM

制备了平面结InGaAs短波红外探测器,分别测量了其在室温及液氮温区的响应光谱、电流～电压曲线和光生信号及噪声,发现其光生信号与室温测量值相比下降了大约50%.在液氮温区的测试结果表明,短波探测器的峰值响应率为Rvp=2.41(107V/W),峰值探测率Dp*=1.51(1012(cmHz)1/2/W.其透射谱的测量表明该探测器的透射率能够超过80%.这些指标能够满足红外双色探测系统的需求.

参考文献

[1]	黄士科,张天序,李丽娟,陈宝国.空空导弹多光谱红外成像制导技术研究[J].红外与激光工程,2006(01):16-20,93.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

双色制导用InGaAs探测器低温特性的研究

LOW TEMPERATURE CHARACTERISTIC OF InGaAs DETECTOR EMPLOYED IN DUAL-BAND IR GUIDING SYSTEM

参考文献