磷化铟单晶生长中的传热和流动分析

工程热物理学报 , 2006, 27(6): 1014-1016.

1.重庆大学动力工程学院,重庆,400030

2.重庆大学动力工程学院,重庆,400030

3.重庆大学生物工程学院,重庆,400030

基金项目: 国家自然科学基金(50376078)

NNUMERICAL ANALYSIS OF THERMAL AND FLOW FIELD IN THE GROWTH OF SINGLE-CRYSTAL INP

用有限元法对轴向磁场存在下3英寸磷化铟单晶液封提拉法生长中的传热和流动进行了求解.结果表明:液封改变了晶体表面被封部分的换热,进而影响生长界面的形状.增加磁场强度能有效减弱熔体和封层内的流动,并使生长界面形状发生变化.增加提拉速度,生长界面形状由凸变凹.随晶体转速的增加,多涡胞流动出现.

[1]	Mingwei Li;Wenrui Hu;Nuohu Chen;Danling Zeng;Zemei Tang .Numerical analysis of LEC growth of GaAs with an axial magnetic field[J].International Journal of Heat and Mass Transfer,2002(13):2843-2851.
[2]	Dupret F;Nicodeme P;Ryckmans Y et al.Global Modeling of Heat Transfer in Crystal Growth Furnaces[J].International Journal of Heat and Mass Transfer,1990,33(09):1849-1871.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分