采用射频磁控溅射法在硅(100)衬底上制备高质量的ZnO压电薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、压电响应力显微镜(PFM)等仪器研究了薄膜成分,表面形貌和压电性质.结果表明:实验制备的ZnO薄膜具有很好的压电性质,c轴取向和表面粗糙度对薄膜压电特性有很大影响,高度c轴取向生长和表面粗糙度较小的ZnO薄膜表现出更好的压电性质.
参考文献
| [1] | 马勇,王万录,廖克俊,吕建伟,孙晓楠.ZnO薄膜的光致发光[J].功能材料,2004(02):139-141,144. |
| [2] | 李世涛,乔学亮,陈建国.透明导电薄膜的研究现状及应用[J].激光与光电子学进展,2003(07):53-59. |
| [3] | 葛春桥,薛亦渝,夏志林.AZO透明导电薄膜的制备技术、光电特性及应用[J].真空电子技术,2004(06):51-54. |
| [4] | 邓允棣.氧化锌掺杂的研究进展[J].科协论坛（下半月）,2007(07):50-51. |
| [5] | 傅竹西,林碧霞.氧化锌薄膜光电功能材料研究的关键问题[J].发光学报,2004(02):117-122. |
| [6] | 许小红;武海顺.压电薄膜的制备、结构与应用[M].北京:科学出版社,2002 |
| [7] | 林鸿溢.纳米ZnO薄膜制备技术及其特性的研究[J].北京理工大学学报,1995(02):132. |
| [8] | 贺洪波,范正修.C轴择优取向ZnO薄膜的溅射工艺与结构研究[J].功能材料,2000(Z1):77. |
| [9] | 滕凤恩;煜明;姜小龙.X射线结构分析与材料性能表征[M].北京:科学出版社,1997:25-40. |
| [10] | 包定华,张良莹,姚熹.薄膜压电性能的测量方法[J].硅酸盐通报,1999(03):18-22. |
| [11] | Lefki K .Meaturement of Piezoelectric Coefficients of Ferroelectric Thin Films[J].Appl.Phys,1994,76(03):1764-1767. |
| [12] | Li J F;Viehland D D;Tani T et al.Piezoelectric Properties of Sol-gel-derived Ferroelectric and Antiferroelectric Thin Layers[J].Appl.Phys,1994,75(01):442-448. |
| [13] | Gao PX;Wang ZL .Nanoarchitectures of semiconducting and piezoelectric zinc oxide[J].Journal of Applied Physics,2005(4):4304-1-4304-7-0. |
| [14] | 马孜,吕百达,肖琦,代军.光学薄膜表面形貌的原子力显微镜观察[J].电子显微学报,2000(05):704-708. |
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