CdZnTe晶片表面钝化研究

功能材料, 2005, 36(6): 856-858.

CdZnTe晶片表面钝化研究

汪晓芹 ^1, , 介万奇 ^2, , 周安宁 ^3, , 李焕勇 ^4,

1.西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072;西安科技大学,化学与化工系,陕西,西安,710054

2.西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072

3.西安科技大学,化学与化工系,陕西,西安,710054

4.西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072

关键词： CdZnTe , 表面漏电流 , 钝化 , TeO2

Surface passivation of CdZnTe wafer

用NH4F/H2O2对Br2-MeOH抛光CdZnTe晶片表面进行了表面钝化处理,通过I-V测试及XPS分析分别对钝化前后的CZT晶片的电学性能和表面组成进行了表征.I-V测试结果表明NH4F/H2O2对CdZnTe晶片表面有较好的钝化效果,电流下降率随所加偏压的增加而下降.在10V偏压下,电流下降最明显,下降率为73.7%.与欧姆定律发生偏离的临界场强为333V/cm.XPS分析发现,用NH4F/H2O2处理可使CdZnTe表面富集的Te 79.28%被氧化成TeO2,氧化层的厚度约为3.15nm.钝化后的表面更接近CdZnTe的化学计量配比.

参考文献

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