用磁控溅射方法制备Fe/Si薄膜, 采用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了退火过程中的相变过程和氧化. 结果表明:未退火的Fe/Si薄膜界面清晰, 873 K退火后, 界面附近Fe、Si原子开始相互扩散,973 K退火后富金属相Fe1+xSi形成, 而1073 K退火后形成中间相FeSi,当温度增加至1273 K后所有硅化物完全转变为富硅相FeSi$_{2}$, 即随退火温度的升高,Fe、Si原子间扩散增强, 从而形成不同化学计量比的Fe--Si化合物,且薄膜中易迁移原子种类由Fe变为Si. 同时, 质子束RBS和XRD测量结果显示,在未退火及低温退火的样品中, 薄膜有氧化现象, 随退火温度增加,由于高温下金属氧化物被还原并逐渐挥发, 样品中氧的含量逐渐减少最后完全消失.
参考文献
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