a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响

功能材料, 2004, 35(z1): 3198-3204.

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基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000028201-1)

Effect of preparation technology on the photoelectric properties of a-Si:H thin films

采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.

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