PECVD法生长氮化硅工艺的研究

功能材料, 2007, 38(5): 703-710.

PECVD法生长氮化硅工艺的研究

吴清鑫 ^1, , 陈光红 ^2, , 于映 ^3, , 罗仲梓 ^4,

1.苏州市职业大学,电子信息工程系,江苏,苏州,215104

2.苏州市职业大学,电子信息工程系,江苏,苏州,215104

3.福州大学,物理与电信工程学院,福建,福州,350002

4.厦门大学,萨本栋微机电研究中心,福建,厦门,361005

基金项目: 福建省自然科学基金(A0310012) 国家基金青年基金(60301006)

关键词： PECVD , 氮化硅 , 聚酰亚胺 , 残余应力 , 射频MEMS开关

The study on technology for the silicon nitride thin films by PECVD

采用了等离子体增强化学气相沉积法(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件.

参考文献

[1]	赵永军,王民娟,杨拥军,梁春广.PECVD SiNx薄膜应力的研究[J].半导体学报,1999(03):183.
[2]	邓俊泳,冯勇建.聚酰亚胺在MEMS中的特性研究及应用[J].微纳电子技术,2003(04):30-33.
[3]	庄同曾;张安康;黄兰芳.集成电路制造技术-原理与实践[M].北京:电子工业出版社,1987
[4]	胡耀志;黄光周;于继荣.机电产品微细加工技术与工艺[M].广州:广东科技出版社,1993
[5]	Campbell S A.微电子制造科学原理与工程技术[M].北京:电子工业出版社,2003
[6]	唐元洪等.[J].湖南大学学报,1996,23(01):42-44.
[7]	徐泰然.MEMS和微系统-设计与制造[M].北京:机械工业出版社,2004:265.
[8]	周志烽,范玉殿.薄膜热应力的研究[J].真空科学与技术,1996(05):347-354.
[9]	于映,陈跃.氮化硅介质薄膜内应力的实验研究[J].真空科学与技术学报,2001(01):51-54.
[10]	叶小琴,许颖,李艳,顾雅华,周宏余,王文静.PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用[J].北京师范大学学报(自然科学版),2004(02):221-223.
[11]	吴清鑫,于映,罗仲梓,陈光红,张春权,杨渭.PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究[J].集美大学学报（自然科学版）,2005(02):160-163.

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The study on technology for the silicon nitride thin films by PECVD

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