Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及分析

功能材料, 2006, 37(8): 1232-1238.

Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及分析

王泽温 ^1, , 介万奇 ^2, , 李宇杰 ^3, , 谷智 ^4,

1.西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072

2.西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072

3.西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072

4.西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072

基金项目: 国家自然科学基金(50336040)

关键词： Hg1-xMnxTe , 范德堡法 , 导电类型 , 霍尔系数

Measurement and analysis of electronic properties of Hg1-xMnxTe wafers

采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.

参考文献

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