MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜

功能材料, 2010, 41(4): 734-736.

MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜

郝瑞亭 ^1, , 申兰先 ^2, , 邓书康 ^3, , 杨培志 ^4, , 涂洁磊 ^5, , 廖华 ^6, , 徐应强 ^7, , 牛智川 ^8,

1.云南师范大学,太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南,昆明,650092;中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083

2.云南师范大学,太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南,昆明,650092

3.云南师范大学,太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南,昆明,650092

4.云南师范大学,太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南,昆明,650092

5.云南师范大学,太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南,昆明,650092

6.云南师范大学,太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南,昆明,650092

7.中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083

8.中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083

基金项目: 国家自然科学基金资助项目(60607016;60625405) 云南省社会发展科技计划资助项目(2009CD045;2007E197M) 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2007CB936304)

关键词： GaSb , GaAs , 分子束外延(MBE)

GaSb films grown by MBE on GaAs(001) substrates

利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性能和光学质量进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通位错,对应的PL谱强度增强,材料的光学质量变好.

参考文献

[1]	Johnson JL.;Gossard AC.;Merz JL.;Jack MD.;Chapman GR. Baumgratz BA.;Kosai K.;Johnson SM.;Samoska LA. .ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF INFRARED PHOTODIODES USING THE INAS/GA1-XINXSB SUPERLATTICE IN HETEROJUNCTIONS WITH GASB[J].Journal of Applied Physics,1996(2):1116-1127.
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[8]	Johnson G R;Cavenett B C;Kerr T M et al.[J].Semiconductor Science and Technology,1988,3:1157.

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