区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算

人工晶体学报, 2013, 42(3): 456-460.

区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算

曲翔 ^1, , 陈海滨 ^2, , 方锋 ^3, , 汪丽都 ^4, , 周旗钢 ^5, , 闫志瑞 ^6,

1.北京有色金属研究总院,北京100088;有研半导体材料股份有限公司,北京100088

2.国泰半导体材料有限公司,北京101300

3.国泰半导体材料有限公司,北京101300

4.有研半导体材料股份有限公司,北京100088

5.北京有色金属研究总院,北京100088

6.有研半导体材料股份有限公司,北京100088;国泰半导体材料有限公司,北京101300

基金项目: 硅材料设备应用工程(41091)

关键词：气相掺杂 , 区熔硅单晶 , 电阻率

Theoretical Calculation on Resistivity of Float-Zone Silicon Single Crystal Using Gas Doping

气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法.本文根据区熔(FZ)硅单晶气相掺杂原理,结合单晶生长速度、单晶直径、气体流量、气体浓度、掺杂物的分凝、单晶对掺杂气体吸收率等一系列生长条件,进行理论计算并与实际生产相结合,进一步推算出掺杂量与电阻率关系的公式.通过该公式,可以更加准确控制气相掺杂硅单晶的电阻率,使理论计算与实际电阻率误差从20％降低到10％,从而降低生产成本.

参考文献

[1]	蒋荣华,肖顺珍.半导体硅材料最新发展现状[J].半导体技术,2002(02):3-6.

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