蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响

功能材料, 2006, 37(12): 1914-1916.

蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响

牛南辉 ^1, , 王怀兵 ^2, , 刘建平 ^3, , 刘乃鑫 ^4, , 邢艳辉 ^5, , 李彤 ^6, , 张念国 ^7, , 韩军 ^8, , 邓军 ^9, , 沈光地 ^10,

1.北京工业大学,电控学院光电子技术实验室,北京,100022

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基金项目: 北京市教委科研项目(KZ200510005003) 国家自然科学基金(60506012) 北京市人才强教计划资助项目(052002015200504)

关键词：氮化镓 , 蓝宝石衬底 , 斜切角度 , DCXRD , MOCVD

The effects of sapphire substrate mis-cut angle on the properties of GaN films

利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0～0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析.结果表明,采用具有斜切角度的衬底,可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性,并且存在一个衬底最优斜切角度0.2°,此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好.

参考文献

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