工作气压在ZnO∶Al(ZAO)薄膜制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能.本文利用中频交流磁控溅射方法, 采用氧化锌铝(ZnO与Al2O3的质量比为98∶2)陶瓷靶材, 在基体温度为250℃,工作气压范围为0.2～8.0Pa条件下,制备了ZAO薄膜.利用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了分析和观察,利用分光光度计和霍尔测试仪测量了薄膜的光学和电学性能,研究了制备薄膜时不同的工作气压(氩气压力PAr)对薄膜的结构、形貌、光学性能和电学性能的影响.结果表明:随着工作气压的增加,薄膜的电阻率先略有下降然后上升,相应地,载流子浓度和迁移率先略有上升然后下降,而可见光谱平均透过率保持在80%以上. 当基体温度为250℃,氩气压力为0.8Pa时,薄膜的电阻率最低,为4.6×10-4Ω*cm,方块电阻为32Ω时,在范围为490～600nm的可见光谱内的平均透过率可达90.0%.
参考文献
| [1] | Anil R;Suresh M;Nagaraju J .[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,2000,60:155-166. |
| [2] | Terakawa A.;Isomura M.;Tanaka M.;Kiyama S.;Tsuda S. Matsunami H.;Shima M. .Effect of the optical gap on the temperature dependence of a-SiGe solar cell stability[J].Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites,1998(Pt.B):1267-1271. |
| [3] | 陈晓杰,李爱珍,王嘉宽,胡雨生,汪乐.Al0.85Ga0.15As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究[J].半导体光电,2000(05):339-341,345. |
| [4] | Lee Y J;Bae J W;Han H R et al.[J].Thin Solid Films,2001,383:281-283. |
| [5] | Minami T;Nanto H;Takata S .[J].THIN SOLID FILMS,1984,124:43-47. |
| [6] | Chen M.;Sun C.;Wen LS.;Wang X.;Pei ZL. .Surface characterization of transparent conductive oxide Al-doped ZnO films[J].Journal of Crystal Growth,2000(3):254-262. |
| [7] | Chang JF.;Hon MH.;Wang HL. .Studying of transparent conductive ZnO : Al thin films by RF reactive magnetron sputtering[J].Journal of Crystal Growth,2000(1/4):93-97. |
| [8] | Igasaki Y;Saito H .[J].Thin Solid Films,1991,199:223-230. |
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