采用 Ag粉和 Ti粉作为焊料,对再结晶 SiC陶瓷进行热压反应连接.研究了 2种工艺,其中工艺 1与传统的扩散焊工艺相似,即分别在不同的焊接温度下保温一定的时间;而工艺 2则是首先在某一较高温度下进行短时间的保温,以利于 Ti与 SiC母材发生适度的界面反应,促进界面结合,同时液相银的出现将显著缓解焊接应力,随后在另一相对较低的温度下保温较长时间,以利于 Ag-Ti金属间化合物的形成,有利于提高接头的焊接强度和工作温度.结果表明,采用工艺 2获得的接头抗弯强度较高,达到 SiC陶瓷母材强度的 73.4%.微观结构研究表明,在界面处生成了反应层 ,焊料产物主要由两种相相间组成. EDX分析结果表明,界面处发生了元素的互扩散.
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