采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料.分别用快速扫描光荧光谱技术(PL-Mapping)、扫描电镜和傅里叶红外光谱对富磷单晶样品进行了研究.结果表明,在富磷条件下拉制的InP单晶会出现孔洞,致使在孔洞周围及远离区域晶体结晶质量和晶格常数存在差异,并且孔洞的存在会造成杂质分布的不均匀性.由于孔洞附近区域具有较高浓度的缺陷,而缺陷对杂质的吸引作用致使孔洞附近区域杂质浓度较远离孔洞区域有所增加.
参考文献
| [1] | R. Yatskiv;J. Grym;K. Zdansky;L. Pekarek .Room temperature particle detectors based on indium phosphide[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment,2010(2):334-337. |
| [2] | Fukuda, Y.;Izawa, T.;Koshio, Y.;Moriyama, S.;Namba, T.;Shiozawa, M. .InP solid state detector for measurement of low energy solar neutrinos[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment,2010(1):460-462. |
| [3] | 李果华,孙艳宁,Woodall J M,严辉,Freeouf J L.新型单晶薄膜InP太阳电池的光谱响应[J].人工晶体学报,2004(05):845-847. |
| [4] | 周祎,张昌文,王培吉.Fe对InP材料电子结构及光学性质的调控机理研究[J].人工晶体学报,2013(11):2432-2438. |
| [5] | Seo, M.;Urteaga, M.;Hacker, J.;Young, A.;Griffith, Z.;Jain, V.;Pierson, R.;Rowell, P.;Skalare, A.;Peralta, A.;Lin, R.;Lin, D.;Rodwell, M. .InP HBT IC Technology for Terahertz Frequencies: Fundamental Oscillators Up to 0.57 THz[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,2011(10):2203-2214. |
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