MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜

功能材料, 2004, 35(z1): 1358-1363.

MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜

林煌 ^1, , 袁洪涛 ^2, , 童强 ^3, , 张阳 ^4, , 张跃 ^5,

1.北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083

2.北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083

3.北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083

4.北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083

5.北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083

基金项目: 国家自然科学基金(50172002)

关键词： ZnO薄膜 , MOCVD , 定向生长 , 压电双晶片

Preparation of oriented ZnO piezoelectric film by MOCVD

采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积(A-MOCVD)的方法,在普通多晶黄铜基片上制备ZnO薄膜.薄膜的SEM、XRD结果表明ZnO沿C轴取向垂直生长在基片上.综合分析ZnO自身晶体生长习性,提出了ZnO薄膜在普通多晶铜表面的生长模型.并将ZnO薄膜制备成压电双晶片元件,在光学显微镜下能观察到元件尖端产生了很大的位移量,结果表明高定向性ZnO薄膜具有优异的压电特性.该压电器件使得传统的小变形双晶片元件的数学模型失效,有必要建立新型大变形双晶片物理、数学模型.

参考文献

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Preparation of oriented ZnO piezoelectric film by MOCVD

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