CsB3O5晶体潮解机理及防潮研究

人工晶体学报, 2009, 38(1): 1-6.

CsB3O5晶体潮解机理及防潮研究

鲁路 ^1, , 吴以成 ^2, , 范飞镝 ^3, , 张国春 ^4, , 傅佩珍 ^5,

1.中国科学院理化技术研究所北京人工晶体研究发展中心,北京,100190;中国科学院研究生院,北京,100039

2.中国科学院理化技术研究所北京人工晶体研究发展中心,北京,100190

3.中国科学院理化技术研究所北京人工晶体研究发展中心,北京,100190

4.中国科学院理化技术研究所北京人工晶体研究发展中心,北京,100190

5.中国科学院理化技术研究所北京人工晶体研究发展中心,北京,100190

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2007AA03Z445) 国家自然科学基金(60378026)

关键词：三硼酸铯晶体 , 潮解 , 化学侵蚀 , 增透膜 , 疏水保护膜

Study on the Hygroscopic Mechanism and Moisture-Proof Protection of CsB3O5 Crystal

三硼酸铯(CsB3O5)晶体在Nd:YAG 1064 nm激光三倍频转换方面具有优良的性能,限制该晶体器件实用化的一个重要因素是其在空气中较易潮解.本文用化学侵蚀法研究了CsB3O5晶体的潮解取向,并从晶体结构上给予了解释:由于CsB3O5晶体的B-O骨架在(010)方向存在较大的通道,水分子较易沿(010)方向进入晶体而导致晶体潮解.采用了用光学增透膜结合疏水保护膜的方法防止CsB3O5晶体潮解的技术手段,使CBO晶体器件能够在常规环境中保存及使用.

参考文献

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