纳米级PtSi/P-Si(100)薄膜形成工艺研究

功能材料, 2001, 32(4): 415-416.

纳米级PtSi/P-Si(100)薄膜形成工艺研究

刘爽 ^1, , 宁永功 ^2, , 陈艾 ^3, , 刘俊刚 ^4, , 杨家德 ^5, , 李昆 ^6,

1.电子科技大学信息材料工程学院,

2.电子科技大学信息材料工程学院,

3.电子科技大学信息材料工程学院,

4.重庆光电技术研究所,

5.重庆光电技术研究所,

6.材料工程研究院,

关键词：红外探测器 , PtSi薄膜 , 纳米级 , 退火

Technological study on formation of nanometre-lever PtSi/P-Si(1O0) film

用XRD、XPS、TEM分析手段研究了在P-Si(100)上溅射的Pt膜,经不同工艺形成PtSi薄膜的物相及连续性.通过分析硅衬底预处理以及退火条件、气氛等对成膜质量的影响,找到形成超薄PtSi膜的工艺方法,制备出4nm连续薄膜.

参考文献

[1]	陈道南,王戎瑞,蒋建忠,所洪涛,刘兴新.高技术武器装备中光电子技术的作用及发展趋势--"沙漠之狐"行动引发的思考[J].激光与红外,1999(02):67-72.
[2]	刘俊刚 .[J].激光与红外,1994,5:1.
[3]	Mahan G D;Marple D T F .[J].Applied Physics Letters,1983,42(03):219.
[4]	王培林,盛文斌,杨晶琦,徐达鸣.纳米级PtSi/Si（111）膜成形工艺与连续性研究[J].半导体学报,1998(06):468.
[5]	熊平;廖世蓉 .[J].半导体光电,1992,13(04):358-361.
[6]	Domashevskaya EP.;Kashkarov VM.;Yurakov YA. .SILICIDE FORMATION IN THIN FILM PT-SI(111) STRUCTURE BY USXES DATA[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,1997(1/2):135-137.
[7]	吴春武,殷士端,张敬平,范缇文,刘家瑞,朱沛然.Ni/Si，Pt/Si，Ir/Si系的As离子注入和退火[J].半导体学报,1989(09):659.
[8]	Silversmith D J et al.[J].THIN SOLID FILMS,1982,93:407.
[9]	Jiang H et al.[J].Journal of the Electrochemical Society,1992,193(01):206.
[10]	ChangC .[J].Journal of Applied Physics,1986,59(09):3116.
[11]	Itabashi Sei ichi;Yoshihara Hidea .[J].THIN SOLID FILMS,1992,221:79-88.
[12]	刘爽,刘俊刚,杨家德,宁永功,陈艾.常规XRD对超薄PtSi/Si膜的表征技术的研究[J].半导体光电,1999(04):285-288.

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