铅掺杂对BST铁电薄膜性能的影响

功能材料, 2004, 35(z1): 1315-1319.

铅掺杂对BST铁电薄膜性能的影响

姜胜林 ^1, , 曾亦可 ^2, , 刘少波 ^3, , 刘梅冬 ^4,

1.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

2.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

3.中国科学院电工研究所,北京,100080

4.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2002AA325080) 国家自然科学基金(90201028)

关键词：铅掺杂 , BST铁电薄膜 , 结晶性能 , 铁电弛豫和弥散相变

Effect of lead additives on the electrical properties of BST ferroelectrics thin film

为了改善BST铁电薄膜的结晶性能,降低薄膜材料的铁电弛豫和弥散相变特性,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同铅掺杂的BST薄膜(PBST).研究了PBST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能.XRD、AFM分析表明,铅对(101、110)峰的生长促进作用最大,掺入5mol%Pb以上的PBST薄膜的结晶状况得到了明显改善;铅的引入使晶粒增大,降低了薄膜的频率色散现象,相变温区有不同程度紧缩;薄膜的介电、铁电性增强.PBST(0.80/0.20/0.05)薄膜具有适当的相变温区、合适的Tmax值、较小频率色散及比BST薄膜更为明显的介电峰与铁电性等特征,可以作为UFPA系统的探测材料.

参考文献

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[2]	J. H. Yoo;W. Gao .Pyroelectric and dielectric bolometer properties of Sr modified BaTiO3 ceramics[J].Journal of Materials Science,1999(21):5361-5369.
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[5]	刘梅冬,刘少波,曾亦可,李楚容,邓传益.（Ba1-xSrx）TiO3薄膜的制备及性能的研究[J].压电与声光,2001(01):41-43.
[6]	Mingrong Shen;Shuibing Ge;Wenwu Cao .[J].Journal of Physics D:Applied Physics,2001,34:2935-2938.

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