溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用

功能材料, 2007, 38(2): 193-194.

溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用

艾玉杰 ^1, , 薛成山 ^2, , 孙莉莉 ^3, , 孙传伟 ^4, , 庄惠照 ^5, , 王福学 ^6, , 杨昭柱 ^7, , 秦丽霞 ^8,

1.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

2.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

3.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

4.济南大学,信息科学与工程学院,山东,济南,250022

5.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

6.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

7.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

8.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

基金项目: 国家自然科学基金(90201025) 国家自然科学基金(90301002)

关键词： GaN , 磁控溅射 , 纳米棒

Fabrication of nanorods in cluster by ammoniating technique and the function of Mg

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Mg薄膜,然后在1000℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米棒.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米棒的形貌,纳米棒的直径在200～600nm之间.我们对镁层的作用进行了简单探讨.

参考文献

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Fabrication of nanorods in cluster by ammoniating technique and the function of Mg

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