采用射频(RF)磁控溅射在各种条件下制备的VO2薄膜的喇曼光谱曲线.研究发现,和理想配比VO2薄膜的主要喇曼峰相比较,无论是富钒的VO2薄膜还是富氧的VO2薄膜它们主要的喇曼峰都向高频方向移动.我们提供了实验证据并且讨论了非理想配比导致VO2薄膜喇曼光谱变化的原因.
参考文献
[1] | 卢勇,林理彬,廖志君,何捷.相变光透射特性具有窗口结构的VO2薄膜[J].功能材料,2002(01):107-109. |
[2] | Granqvist C G.Materials Science for Solar Energy Conversation Systems[M].Oxford:Pergamon Press,1991:210-230. |
[3] | Granqvist C G .[J].Thin Solid Films,1990,194(1-2):730-741. |
[4] | Parker J C .[J].Physical Review,1990,B42:3164-3166. |
[5] | Wang Xuejin;Xu Jinjie;Fei Yunjie et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,2002,41(01):312-313. |
[6] | Aronov A G;Mirlin D N;Reshna I I et al.[J].Soviet Physics Solid State,1977,19:110-113. |
[7] | Griffiths C H;Eastwood H K .[J].Journal of Applied Physics,1974,45:2201-2206. |
[8] | Kusano E;Theil J A .[J].Journal of Vacuum Science and Technology,1989,A7(03):1314-1317. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%