实现表面光电压法(SPV)在大注入水平下的少子寿命测量对表面光电压技术的应用和准确测量具有重要意义.本文计算了P型单晶硅片三种复合机制下注入水平与体寿命及表面复合率的关系.结果表明随着注入水平提高,主导复合机制发生改变,且少子寿命并不是一直随注入水平的增加而增加,而与杂质能级位置有关,表面复合率则恰好相反.为验证计算结果,对P型单晶硅片进行了注入水平可调的少子寿命测试.通过样品表面钝化,分离体表寿命,分别得到了注入水平与少子寿命和表面复合率的实验变化关系.理论计算结果与实验数据在测试范围内一致.
参考文献
| [1] | Tousek J;Touskova J .A novel approach to the surface photovoltage method[J].Solar Energy Materials and Solar Cells: An International Journal Devoted to Photovoltaic, Photothermal, and Photochemical Solar Energy Conversion,2008(9):1020-1024. |
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