Pd掺杂SnO2纳米膜的制备及H2敏感性能研究

材料导报, 2011, 25(14): 28-31.

Pd掺杂SnO2纳米膜的制备及H2敏感性能研究

孙红娟 ^1, , 刘海峰 ^2, , 彭同江 ^3, , 贾锐军 ^4,

1.西南科技大学固体废物处理与资源化省部共建教育部重点实验室,绵阳621010;西南科技大学矿物材料与应用研究所,绵阳621010

2.西南科技大学固体废物处理与资源化省部共建教育部重点实验室,绵阳621010;西南科技大学矿物材料与应用研究所,绵阳621010

3.西南科技大学固体废物处理与资源化省部共建教育部重点实验室,绵阳621010;西南科技大学矿物材料与应用研究所,绵阳621010

4.西南科技大学固体废物处理与资源化省部共建教育部重点实验室,绵阳621010

基金项目: 西南科技大学青年基金(09zx3107) 国家“863”计划项目(2004AA302032) 四川省科技厅应用基础资助项目(07JY029-004)

关键词：掺杂 , SnO2 , 气敏性 , H2

Preparation and H2 Sensing Characteristics of Pd-doped SnO2 Nano-powders

以分析纯SnCl2·2H2O和PdCl2为主要原料,控制不同n(Pd2+ )/n(Sn2+),利用溶胶凝胶-浸渍提拉法制备了Pd掺杂SnO2纳米膜.用XRD、AFM对样品的结构、形貌进行了分析,并测试了Pd掺杂SnO2纳米膜的阻温特性和对H2敏感性能.结果表明,Pd掺杂SnO2纳米膜平整而致密,表面椭球形粒子颗粒尺寸约为20nm；Pd掺杂SnO2为金红石型晶体结构,但pd2+进入SnO2晶格代替八面体中部分Sn4+,导致其晶胞参数比未掺杂SnO2略小；Pd掺杂SnO2纳米膜的电阻随温度升高而减小,表现出n型半导体阻温特性；随着Pd掺杂比例的增大,元件的电阻增大,其对H2的灵敏度先增大后减小,当掺杂比例为1%时对H2灵敏度最高.

参考文献

[1]	Xi LJ;Qian D;Tang XC;Chen CJ .High surface area SnO2 nanoparticles: Synthesis and gas sensing properties[J].Materials Chemistry and Physics,2008(2/3):232-236.
[2]	赵鹏,郝喜红,许启明,田晓珍,姚燕燕.喷雾热分解法制备掺杂SnO2电热薄膜及其电热性能[J].硅酸盐学报,2004(09):1157-1160.
[3]	Espinosa, A;Menendez, N;Prieto, C;de Andres, A .Structural study of undoped and (Mn, In)-doped SnO2 thin films grown by RF sputtering[J].Journal of Non-Crystalline Solids,2008(47/51):5269-5271.
[4]	Kaur J;Kumar R;Bhatnagar MC .Effect of indium-doped SnO2 nanoparticles on NO2 gas sensing properties[J].Sensors and Actuators, B. Chemical,2007(2):478-484.
[5]	刘海峰,彭同江,孙红娟.气敏型α-Fe2O3纳米粉体与薄膜制备技术研究进展[J].中国粉体技术,2006(06):34-38,43.
[6]	刘思科;朱秉生;罗晋生.半导体物理[M].北京:电子工业出版社,2003

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