改进溶胶-凝胶法制备PZT5O/5O铁电薄膜

功能材料, 2002, 33(1): 63-64.

改进溶胶-凝胶法制备PZT5O/5O铁电薄膜

王根水 ^1, , 于剑 ^2, , 赖珍荃 ^3, , 孟祥建 ^4, , 孙兰 ^5, , 郭少令 ^6, , 褚君浩 ^7, , 李刚 ^8, , 路庆华 ^9,

1.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

2.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

3.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

4.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

5.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

6.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

7.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

8.上海交通大学分析测试中心,上海,2000030

9.上海交通大学分析测试中心,上海,2000030

基金项目: 国家自然科学基金(69738020)

关键词：溶胶-凝胶法 , 前驱体 , PZT50/50 , 铁电薄膜

PZTSO/5O ferroelectric thin films derived bv modified sol-gel process

采用改进的溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PZT50/50铁电薄膜-用X射线衍射表征了薄膜的物相,用原子力显微镜(AFM)表征薄膜的微观形貌,用RT-66A测量了薄膜的铁电特性,获得了具有优良的铁电性能的晶粒尺寸为100nm的PZT50/50铁电薄膜,在20V电压下,P,=31.83μC/Cm2.

参考文献

[1]	HuGD;WilsonI H;Xu J B et al.[J].Applied Physics Letters,1999,74:903.
[2]	Meng XJ.;Li B.;Guo SL.;Ye HJ.;Chu JH.;Cheng JG. .Low-temperature preparation of highly (111) oriented PZT thin films by a modified sol-gel technique[J].Journal of Crystal Growth,2000(1/4):541-545.
[3]	Zeng Jianming .Sol-Gel Preparation of Pb(Zr_0.50Ti_0.50)O_3 Ferroelectric Thin Films Using Zirconium Oxynitrate as the Zirconium Source[J].Journal of the American Ceramic Society,1999(1/3):461-464.
[4]	Chen J;Udayakumar K R;Brooks K G et al.[J].Journal of Applied Physics,1992,71:4465.
[5]	Yi G;WuZ;Sayer M .ApplPhys[J].Journal of Applied Physics,1988,64:2717.
[6]	Kim S H;ChoYS;HimCE.[J].Journal of Materials Science,1997(12):576.
[7]	ChenXY;LiuZG .[J].Ferroelectrics,1997,195:175.
[8]	HuGD;Wilson I H;Xu J B et al.[J].Applied Physics Letters,1999,74:1221.

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