6H-SiC硅面S钝化工艺研究

人工晶体学报, 2015, 44(11): 3000-3004.

6H-SiC硅面S钝化工艺研究

陈进 ^1, , 杨莺 ^2, , 邢青青 ^3, , 张力 ^4, , 晁苗苗 ^5, , 穆美珊 ^6,

1.西安理工大学电子工程系,西安,710048

2.西安理工大学电子工程系,西安,710048

3.西安理工大学电子工程系,西安,710048

4.西安理工大学电子工程系,西安,710048

5.西安理工大学电子工程系,西安,710048

6.西安理工大学电子工程系,西安,710048

基金项目: 国家自然科学基金(51207128,51177134) 陕西省教育厅基金(2013JK1102)

关键词：碳化硅 , S钝化 , I-V , XPS

Sulfur Passivation Processing on Silicon Surface of 6H-SiC

Keywords： silicon carbide , sulfur passivation , I-V , XPS

采用(NH4)2S溶液钝化SiC的Si面,借助反向I-V特性间接表征钝化效果,得到了SiC表面最佳的钝化参数:钝化温度60 ℃、钝化时间30 min、NH3·H2O浓度为2.4 mol/L、(NH4)2S浓度为0.22 mol/L.XPS测试结果表明钝化后的6H-SiC表面形成了Si-S键,反向饱和I-V特性表明S钝化降低了表面的态密度.实验结果与第一性原理计算结果相吻合.

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Sulfur Passivation Processing on Silicon Surface of 6H-SiC

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