非晶碳化硅包覆型硅量子点尺寸与光学特性的相关性

稀有金属材料与工程, 2015, 44(12): 3023-3026.

非晶碳化硅包覆型硅量子点尺寸与光学特性的相关性

1.西安文理学院,陕西西安,710065

2.西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,陕西西安,710049

3.西安文理学院,陕西西安,710065

4.西安文理学院,陕西西安710065;西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,陕西西安710049

基金项目: Xi'An Science and Technology Plan Projects (CX12189WL37,CXY1352WL08) National Key Basic Research Development Program of China ("973" Program) (2010CB631002) National Natural Science Foundation of China (51271139,51171145)

关键词：硅量子点 , 碳化硅 , 光致发光 , 微结构

Correlations of Photoluminescence and Size Evolution of Si Quantum Dots in Amorphous Silicon Carbide

Keywords： silicon quantum dot , silicon carbide , photoluminescence , microstructure

通过磁控溅射技术和1100℃的高温后续退火处理,在富硅碳化硅中形成高密度、小尺寸的硅量子点.其微结构和光学特性由高分辨电镜和光致发光技术进行表征.结合斯托克斯偏移和高分辨电镜分析表明,由非晶碳化硅包覆的硅量子点存在a-Si、c-Si两种结构,并呈现多带隙特征,子带隙分布范围从2.3到3.5 eV,出现紫外光到绿光的光致发光特征峰;发现此特征的硅量子点尺寸分布在～1.0～4.0nm;通过改变薄膜中的Si和C原子比例,以及改变退火参数可进一步优化和控制硅量子点的微结构.

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