在不同偏压下用电弧离子镀沉积TiM薄膜，采用扫描电子显微镜（SEM）观察薄膜表面大颗粒污染情况，并分析偏压对大颗粒的影响。结果表明，偏压对大颗粒的影响主要来自电场的排斥作用。直流偏压下，等离子体鞘层基本稳定，电子对大颗粒表面充电能力很弱，而脉冲偏压下，由于鞘层厚度不断变化，大颗粒不断进出于鞘层，电子对大颗粒表面的充电能力强，使其所带负电荷明显增多，受到基体的排斥力变大，大颗粒不易沉积到基体而使薄膜形貌得到有效改善。
参考文献
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