掺锗CZSi禁带宽度的变化

功能材料, 2004, 35(z1): 3360-3363.

掺锗CZSi禁带宽度的变化

牛新环 ^1, , 张维连 ^2, , 吕海涛 ^3, , 蒋中伟 ^4, , 王雅欣 ^5,

1.河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130

2.河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130

3.河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130

4.河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130

5.河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130

基金项目: 国家自然科学基金(59772037) 河北省自然科学基金(500016)

关键词：直拉法 , 晶体生长 , SiGe体单晶 , 禁带宽度

The variety of Ge-doped CZSi band gaps

采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000～2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了不同锗浓度样品的禁带宽度值.结果发现,随锗浓度的提高,样品的禁带宽度逐渐减小.这结论与理论结果相吻合.

参考文献

[1]	Kazuo Nakajima;Toshihiro Kusunoki;Yukinaga Azuma .Compositional variation in Si-rich SiGe single crystals grown by multi-component zone melting method using Si seed and source crystals[J].Journal of Crystal Growth,2002(3/4):373-381.
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[6]	亓震;叶志镇 .[J].材料科学与工程,1998,3(16):22-25.
[7]	苏宇欢 .[J].半导体情报,1999,6(36):27-30.
[8]	金海岩,张利春.温度、Ge含量和掺杂浓度对Si1-xGex[J].半导体学报,2001(09):1122-1126.
[9]	刘恩科;朱秉升;罗晋生.半导体物理学[M].西安:西安交通大学出版社,1994:24.

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