掺杂浓度对电沉积法制备ZnS: Cu光学薄膜影响

人工晶体学报, 2009, 38(3): 681-684.

掺杂浓度对电沉积法制备ZnS: Cu光学薄膜影响

朱辉 ^1, , 黄剑锋 ^2, , 曹丽云 ^3, , 曾燮榕 ^4, , 熊信柏 ^5, , 吴建鹏 ^6,

1.陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021

2.陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021;深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,深圳,518060

3.陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021

4.深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,深圳,518060

5.深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,深圳,518060

6.陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021

基金项目: 陕西科技大学研究生创新研究基金深圳市特种功能材料重点实验室基金(0701) 教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0893)

关键词： ZnS:Cu薄膜 , 电沉积 , 掺杂浓度 , 光致发光

Influence of Doping Concentration on ZnS: Cu Optical Thin Films Prepared by Electrodeposition

采用阴极恒电压法在ITO(In2O3-SnO2)导电玻璃表面制备了ZnS: Cu薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱仪(PL)研究了掺杂浓度对ZnS: Cu薄膜的物相组成、显微结构及发光性能的影响.结果表明:控制Cu2+的质量掺杂浓度在0.4%以内,并不会改变ZnS薄膜的物相组成,而且会使薄膜的结晶程度有所提高.研究还发现,在pH=4.0,沉积电压为2 V,掺杂浓度为0.3 %的条件下,所制得的ZnS: Cu薄膜光致发光光谱峰值最大,亮度最高.

参考文献

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