钛酸钡中的硼间隙及其对PTCR效应的影响

1.清华大学,北京,100084

2.清华大学,北京,100084

3.清华大学,北京,100084

基金项目: 国家自然科学基金(59995523) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA325010)

Boron Interstitial in BaTiO3 and Its Influence on PTCR Effect

通过B2O3蒸汽掺杂,钛酸钡晶胞膨胀,表明硼离子可以进入钛酸钡晶格中形成硼间隙.B2O3蒸汽掺杂使含Y钛酸钡陶瓷室温电阻率下降,升阻比提高.同样的烧结条件下,钛酸钡陶瓷的PTCR效应随B2O3蒸汽掺杂源的浓度升高而升高.硼间隙和/或相关缺陷络合物可以形成电子捕获中心,从而提高PTCR效应.

[1]	Haayman P W;Dam R W;Klasens H A .German Pat[P].No. 929350,1955.
[2]	齐建全,桂治轮,李龙土.蒸汽掺杂-一种新的钛酸钡基PTCR陶瓷的掺杂方法[J].无机材料学报,1999(03):408-412.
[3]	Qi JQ.;Wu YJ.;Li LT.;Chen WP. .Improvement of the PTCR effect in Ba1-xSrxTiO3 semiconducting ceramics by doping of Bi2O3 vapor during sintering[J].Journal of the American Ceramic Society,1998(2):437-438.
[4]	Qi JQ.;Wu YJ.;Li LT.;Gui ZL. .Enhancement of PTCR effect of semiconducting Ba1-xSrxTiO3 by Sb2O3 vapor[J].Sensors and Actuators, A. Physical,2001(1):84-85.
[5]	Qi J Q;Gui Z L;Li L T;Wu Y J .[J].Journal of Materials Research,1999,14(08):3328-3329.
[6]	李建林,曹广益,周勇,胡克鏊.高能球磨制备TiB2/TiC纳米复合粉体[J].无机材料学报,2001(04):709-714.
[7]	Lee JH.;Lee JA.;Ryoo YD.;Kim JJ.;Cho SH.;Heo YW. .GRAIN BOUNDARY AND ITS RELATED PROPERTIES OF BORON ADDED Y-DOPED BATIO3 CERAMICS[J].Solid state ionics,1997(2):787-791.
[8]	Qi J Q;Zhu Q;WANG Y L et al.[J].Solid State Communications,2001,120:505-508.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分