在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究

功能材料, 2010, 41(4): 704-708.

在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究

罗子江 ^1, , 周勋 ^2, , 杨再荣 ^3, , 贺业全 ^4, , 何浩 ^5, , 邓朝勇 ^6, , 丁召 ^7,

1.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;贵州财经学院,教育管理学院,贵州,贵阳,550004

2.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;贵州师范大学,物理与电子科学学院,贵州,贵阳,550001

3.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025

4.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025

5.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025

6.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025

7.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025

基金项目: 贵州省科技厅基金资助项目(Z073085) 贵州省优秀科技教育人才省长专项基金资助项目([2009]114) 贵州大学博士基金资助项目(X060031) 贵州省委组织部高层人才科研特助资助项目(Z073011) 国家自然科学基金资助项目(60886001)

关键词： MBE , RHEED图像 , 粗糙化 , EDS , GaAs表面重构

The research on growth of GaAs under the monitoring of RHEED

采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制.报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs.通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品.完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs.利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体.

参考文献

[1]	Serreze H B;Baumann J A .[J].Applied Physics Letters,1989,55:2532.
[2]	Erlacher A;Ambrico M .[J].Applied Physics Letters,1990,57:346.
[3]	Sasaki Y;Sato T .[J].Journal of Applied Physics,1985,57:1109.
[4]	Darmo J.;Kordos P.;Forster A.;Dubecky F. .Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs[J].Applied physics letters,1998(5):590-592.
[5]	Neave J H;Dobson P J;Joyce B A .[J].Applied Physics Letters,1985,47(02):15.
[6]	Bobel F G;Moller H et al.[J].Journal of Vacuum Science and Technology B,1994,B12(02):1207.
[7]	Yang H.;Bullock DW.;Ding Z.;Smathers JB.;Thibado PM.;LaBella VP. .Activation energy for Ga diffusion on the GaAs(001)-(2x4) surface: an MBE-STM study[J].Journal of Crystal Growth,1999(0):88-92.
[8]	LaBella V P;Emery C;Ding Z .[J].Applied Physics Letters,2001,79(19):5.
[9]	Murdick D A;Wadley H N G .[J].Physical Review B:Condensed Matter,2007,75:125318.
[10]	Hanada T;Koo B H;Totsuka H .[J].Physical Review B:Condensed Matter,2001,64:165307.
[11]	Cho A Y .[J].Journal of Crystal Growth,1999,201-202:17.
[12]	Kratzer P;Scheffler M .[J].Physical Review Letters,2002,88:035802-1.
[13]	Patella F;Arciprete F;Fanfoni M et al.[J].Applied Physics Letters,2005,87:252101.
[14]	Ding Z;Bullock D W;Oliver W F .[J].Journal of Crystal Growth,2003,251:35-39.

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