温度对离子束溅射生长Ge/Si量子点的形貌影响

功能材料, 2010, 41(11): 1982-1985.

温度对离子束溅射生长Ge/Si量子点的形貌影响

张学贵 ^1, , 王茺 ^2, , 杨杰 ^3, , 潘红星 ^4, , 鲁植全 ^5, , 李亮 ^6, , 杨宇 ^7,

1.云南大学,工程技术研究院光电信息材料研究所,云南,昆明,650091

2.云南大学,工程技术研究院光电信息材料研究所,云南,昆明,650091

3.云南大学,工程技术研究院光电信息材料研究所,云南,昆明,650091;昆明理工大学,冶金与能源工程学院,云南,昆明,650093

4.云南大学,工程技术研究院光电信息材料研究所,云南,昆明,650091

5.云南大学,工程技术研究院光电信息材料研究所,云南,昆明,650091

6.云南大学,工程技术研究院光电信息材料研究所,云南,昆明,650091

7.云南大学,工程技术研究院光电信息材料研究所,云南,昆明,650091

基金项目: 国家自然科学基金资助项目(10964016) 教育部科学技术研究重点资助项目(2010ME208) 云南省自然科学基金重点资助项目(2008CC012)

关键词：离子束溅射 , 量子点 , 表面形貌 , Raman光谱

The effect of temperature on the morphology of Ge/Si quantum dots grown by ion beam sputtering

采用离子束溅射技术,在不同温度的Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,结果表明,随着温度升高,量子点密度增大(750℃生长的量子点密度达到1.85×1010cm-2),均匀性变好及结晶性增强;但随生长温度升高,Si-Ge互混程度也同时加剧.

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