579.62 nm波长处Y2SiO5:Eu3+晶体永久性光谱烧孔

中国稀土学报, 2006, 24(4): 510-512.

579.62 nm波长处Y2SiO5:Eu3+晶体永久性光谱烧孔

薛绍林 ^1, , 陈凌冰 ^2, , 赵有源 ^3, , 李富铭 ^4, , 张守都 ^5, , 黄浩炳 ^6,

1.东华大学理学院,上海,201620

2.复旦大学光科学与工程系,三束改性国家重点实验室,上海,200433

3.复旦大学光科学与工程系,三束改性国家重点实验室,上海,200433

4.复旦大学光科学与工程系,三束改性国家重点实验室,上海,200433

5.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

6.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

基金项目: 上海市自然科学基金(714818) 国家自然科学基金(69807001)

关键词： Y2SiO5:Eu3+晶体 , 光谱 , 永久性光谱烧孔 , 稀土

Persistent Spectral Hole Burning of Eu3+ Doped Y2SiO5 Crystal at 579.62 nm

分别利用氩离子激光,二倍频YAG:Nd 激光泵浦的诺明6G可调谐窄线宽(0.5 cm-1)染料激光和899-21可调谐染料激光作为光源,以单色仪-锁相放大器-光电倍增管-计算机数据采集系统记录光谱,对Y2SiO5:Eu3+晶体进行了光谱和光谱烧孔研究.在常温和液氮温度下测量了晶体的激发光谱、荧光光谱等.在16 K温度下对晶体进行了光谱烧孔研究,得到了孔宽约80 MHz并能保存10 h的永久性光谱孔.

参考文献

[1]	Macfarlane R M;Shelby R M;Winnacker A .Electronic zeeman and stark spectroscopy of BaClF:Sm2+ using photon-gated hole burning[J].Physical Review B,1986,33(06):4207.
[2]	Masaharu Mitsunaga;Ryuzi Yano;Naoshi Uesugi .Time-and frequency-domain hybrid optical memory:1.6-kbit data storage in Eu3+:Y2SiO5[J].Optics Letters,1991,16(23):1890.
[3]	焦桓,廖复辉,周晶晶,荆西平.稀土元素掺杂对Y2SiO5：Tb发光性能的影响[J].中国稀土学报,2004(06):849-853.

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Persistent Spectral Hole Burning of Eu3+ Doped Y2SiO5 Crystal at 579.62 nm

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