退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响

功能材料, 2004, 35(z1): 1196-1198.

退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响

张锡健 ^1, , 马洪磊 ^2, , 王卿璞 ^3, , 马瑾 ^4, , 宗福建 ^5, , 肖洪地 ^6, , 计峰 ^7,

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基金项目: 高等学校博士学科点专项科研项目(20020422056)

关键词： MgZn1-xO薄膜 , AFM , XRD , 退火

The influence of annealing temperature on properties of Mg0.16Zn0.84O films deposited by radio frequency magnetron sputtering

采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84O薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0 84O薄膜的结构、表面形貌.结果表明,Mg0.16Zn0.84O薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显增大,最大的高达400nm以上.用TV1900型双光束紫外可见分光光度计测量了淀积在蓝宝石衬底上的Mg0.16Zn0.84O薄膜室温的透射谱,得到可见光区的平均透过率约为95%,进而估算出Mg0.16Zn0.84O薄膜的带隙宽度约为3.58eV.

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