插层Bi对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响及其XPS分析

功能材料, 2005, 36(12): 1834-1836.

插层Bi对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响及其XPS分析

李明华 ^1, , 于广华 ^2, , 朱逢吾 ^3, , 曾德长 ^4, , 赖武彦 ^5,

1.华南理工大学,机械学院,广东,广州,510640;北京科技大学,材料物理系,北京,100083

2.北京科技大学,材料物理系,北京,100083

3.北京科技大学,材料物理系,北京,100083

4.华南理工大学,机械学院,广东,广州,510640

5.中国科学院物理研究所,北京,100080

基金项目: 中国科学院资助项目(50471093,50271007)

关键词： NiFe/FeMn , 交换偏置场Hex , 表面偏聚 , Bi插层

The influence of Bi on the exchange bias field of NiFe/FeMn bilayers and the XPS analysis

在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中,我们曾发现Cu在NiFe层的表面偏聚导致NiFe/FeMn薄膜的交换偏置场降低.为了抑制Cu的表面偏聚,我们在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中在Cu/NiFe界面沉积Bi插层.实验发现,沉积适当厚度的Bi插层可以将NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场提高1倍.XPS分析表明,在Cu/NiFe界面沉积的插层Bi有效地抑制了Cu在NiFe表面的偏聚,提高了交换偏置场.

参考文献

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