采用射频磁控溅射法分别在不同温度衬底上制备了厚度为320nm的ZnS薄膜,用XRD和光学相移技术研究了不同衬底温度下薄膜的微结构和应力.结果表明:不同温度衬底上沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,衬底温度由50℃上升到400℃的过程中,其择优取向发生了变化,晶粒有明显的生长方向;ZnS薄膜应力随着衬底温度升高逐渐减小,衬底温度在250～350℃之间的ZnS薄膜应力较小且在选区内分布比较均匀.
参考文献
| [1] | 憨勇;郑修麟;刘正堂.[J].材料导报,1995(04):35-38. |
| [2] | 王鹏飞,袁媛,刘华,奚军,翁孟炎.纳米硫化锌的制备及其研究进展[J].化学世界,2003(08):441-444. |
| [3] | Kulkarni SK.;Deshmukh N.;Borse PH.;Fink R.;Umbach E.;Winkler U. .Investigations on chemically capped CdS, ZnS and ZnCdS nanoparticles[J].Applied Surface Science: A Journal Devoted to the Properties of Interfaces in Relation to the Synthesis and Behaviour of Materials,2001(0):438-446. |
| [4] | Chu T L;Chu S S .[J].Solid-State Electronics,1995,38(03):533-549. |
| [5] | Gao XD;Li XM;Yu WD .Morphology and optical properties of amorphous ZnS films deposited by ultrasonic-assisted successive ionic layer adsorption and reaction method[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2004(1/2):43-47. |
| [6] | Mandal S K;Chaudhuri S;Pal A K .[J].Thin Solid Films,1999,350:209-213. |
| [7] | 柳兆洪.硫化锌薄膜的制备和结构分析[J].固体电子学研究与进展,1997(04):347. |
| [8] | 刘云峰.ZnS薄膜的结构研究[J].真空,1996(02):32. |
| [9] | 北京光电技术研究所 .BGS6341 型电子薄膜应力分布测试仪技术总结报告[R].北京:光电技术研究所,2000. |
| [10] | 吴桂芳,宋学平,刘勇,林伟,孙兆奇.衬底温度对溅射硅基铜膜（Cu/Si）应力的影响研究[J].安徽大学学报(自然科学版),2004(03):27-32. |
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