稀土氧化物掺杂BaTiO3陶瓷的击穿问题研究

稀有金属材料与工程, 2005, 34(z2): 908-911.

稀土氧化物掺杂BaTiO3陶瓷的击穿问题研究

吉岸 ^1, , 王晓慧 ^2, , 陈仁政 ^3, , 李龙土 ^4, , 桂治轮 ^5, , 张力 ^6,

1.清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084;清华同方股份有限公司,北京,100084

2.清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

3.清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084;清华同方股份有限公司,北京,100084

4.清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

5.清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

6.清华同方股份有限公司,北京,100084

基金项目: 国家科技攻关项目(2001AA325010,2003AA32G030) 科技部科研项目(2002CB613301)

关键词：钛酸钡(BT) , 击穿 , 贱金属

Study on the Influence of Rare Earth Oxide on the Breakdown Field Strength of BaTiO3 Ceramic

研究了BaTiO3基陶瓷的耐压性能.对陶瓷材料的烧结工艺尤其是在还原性气氛的烧成条件下,掺杂BaTiO3基陶瓷中发生的各种缺陷反应机制进行了初步的研究,总结和阐述了掺杂剂浓度、烧成条件对BaTiO3基陶瓷耐压强度的影响.结果表明:Y2O3掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由Y2O3在瓷体中的缺陷化学反应所决定,在掺杂质量分数≤1.0%范围内,在≤0.5%之前,瓷体击穿场强呈下降趋势,之后则保持不变或稍有上升;MnO2掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由MnO2在瓷体中的缺陷化学反应与MnO2在瓷体晶界层的分布共同决定,总体表现为随掺杂浓度的增加瓷体击穿电压逐渐下降;Y2O3和MnO2共同掺杂时,它们之间对钛酸钡瓷体击穿场强的调制规律是相对独立的,只是在击穿场强的绝对值方面有所影响;氧分压越低的烧结机制,越容易引起瓷体击穿场强的下降.

参考文献

[1]	Yuanxiang Zhou.Annual Report Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena[M].Canada: IEEE Dielectrics and Insulation Society,2001:67.
[2]	Freer R.Proceedings of the Conference Held at UMIST 7-10 September[M].London: Institution of Electrical Engineers,1992:443.
[3]	王德生,刘斌,陈维,陈寿田.电极留边量与高压陶瓷电容器表面放电关系的研究[J].电工电能新技术,2001(02):25-28.
[4]	白花珍等.[J].中国陶瓷,1999,35(05):22.

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