聚酰亚胺LB膜MIS结构C-V特性

材料研究学报, 1994, 8(1): 88-92.

聚酰亚胺LB膜MIS结构C-V特性

东南大学

关键词： LB聚酰亚胺膜 , null , null , null , null

C- V CHARACTERISTICS OF MIS STRUCTURES WITH LANGMURI-BLODGETT POLYIMIDE FILMS

LIN Hat'an , WU Chongruo(Southeast University)

Keywords： : LB polyimide; MIS tunnel junction; double capacitance humps; minority carrries injection; like-metal-Semiconductor junction , MIS隧道结 , 双电容峰 , 少子注入 , 类金属-半导体结

本文报道了Al/LB聚酰亚胺膜/P-Si(100)MIS结构的C一V特性研究结果.67层LB膜样品C-V特性近乎理想,具有负的固定电荷密度约1011cm-2量级,平带时滞后小于0.3V对于MIS隧道结,除了在-0.5—-1.5V间具有反型层箝位产生的电容峰外,在-1.5—-4V间还出现了另一电容峰值.假设在强电场下隧穿能力剧增,从而结构由隧穿限制区重新进入半导体限制区,可以解释这一峰值的出现,考虑到少子注入引入的扩散电容,正、反向扫描时电容峰值的差别可以得到解释

C-V technology is an effective method of studing semiconductor interfaCe. This paper will rePort some interesting new results of C-V characteristics which are obtained from MIS tunnel junction with LB insulting films.The substrates used in present resear

参考文献

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[4]	KarS,DahlkeWEetal．Solid-StateELECTRONICS1972

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