本文选用K4P2O7助溶剂体系生长KTP晶体,所生长的晶体具有低吸收率和蓝、绿光波段抗灰迹性能,确定其最佳生长配比为KTP/K4 =0.8 mol/mol,测定其饱和点为850℃左右,从饱和点缓慢降温到820℃所生长晶体质量最佳,并对其进行了PCI抗灰迹吸收测试、倍频效率测试、电导率测试.结果表明:在同样原料纯度的情况下,吸收系数只有普通K6体系KTP晶体的十几分之一；1064 nm调Q到绿光的转化效率为61.8％(普通KTP转化效率为50％)；在1 kV直流长时间加压条件下,Z向电导率达到10-10S/cm量级,较普通K6体系生长的KTP晶体低2～3个数量级.
参考文献
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