PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷

人工晶体学报, 2014, 43(4): 829-833.

PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷

滕家琪 ^1, , 闵嘉华 ^2, , 梁小燕 ^3, , 周捷 ^4, , 张涛 ^5, , 时彬彬 ^6, , 杨升 ^7, , 曾李骄开 ^8,

1.上海大学电子信息材料系,上海200072

2.上海大学电子信息材料系,上海200072

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4.上海大学电子信息材料系,上海200072

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关键词： PICTS , CdZnTe , 深能级 , 缺陷

Photo-Induced Current Transient Spectroscopy(PICTS) of Deep Level Defects in CdZnTe Crystal

TENG Jia-qi ^1, , MIN Jia-hua ^2, , LIANG Xiao-yan ^3, , ZHOU Jie ^4, , ZHANG Tao ^5, , SHI Bin-bin ^6, , YANG Sheng ^7, ,

1.上海大学电子信息材料系,上海200072

2.上海大学电子信息材料系,上海200072

3.上海大学电子信息材料系,上海200072

4.上海大学电子信息材料系,上海200072

5.上海大学电子信息材料系,上海200072

6.上海大学电子信息材料系,上海200072

7.上海大学电子信息材料系,上海200072

Keywords： PICTS , CdZnTe , deep energy level , defect

详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间.利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺陷能级,确定了能级位置在0.471 eV和0.15 eV的两个深中心,这两个缺陷分别可能是VCd2-和A中心(InCd+-VCd2-)-.

参考文献

[1]	韦永林,朱世富,赵北君,王瑞林,高德友,魏昭荣,李含东,唐世红.CdZnTe晶体的缺陷能级分析[J].人工晶体学报,2004(02):189-191.
[2]	李刚,桑文斌,闵嘉华,钱永彪,施朱斌,戴灵恩,赵岳.高阻In掺杂CdZnTe晶体缺陷能级的研究[J].无机材料学报,2008(05):1049-1053.
[3]	Rakhshani AE. .Photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) of deep levels in electrodeposited CdTe films[J].Physica Status Solidi, A. Applied Research,1998(1):85-96.
[4]	刘勇,朱世富,赵北君,陈宝军,何知宇,丁群.CdZnTe晶片表面钝化后的热处理研究[J].人工晶体学报,2011(05):1107-1110.
[5]	Mathew X. .Photo-induced current transient spectroscopic study of the traps in CdTe[J].Solar Energy Materials and Solar Cells: An International Journal Devoted to Photovoltaic, Photothermal, and Photochemical Solar Energy Conversion,2003(3):225-242.
[6]	Meyer BK.;Stadler W. .NATIVE DEFECT IDENTIFICATION IN II-VI MATERIALS[J].Journal of Crystal Growth,1996(1/4):119-127.

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